基材接合方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：光石俊郎 , 光石春平 , 田中康幸 , 松元洋 , 山田哲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-149295
公開番号（公開出願番号）：特開2018-018996
出願日： 2016年07月29日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：

【課題】非晶質酸化物材料等からなる基材は、表面へイオン粒子のビームを照射しても、活性がすぐに低下してしまい、十分な接合強度を得ることが困難となっていた。【解決手段】第一の基材11と第二の基材12とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、第一の基材11が、半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなり、Ar等のガス1のイオン粒子のビーム2を第一の基材11の表面に照射して、第一の基材11の表面をスパッタエッチングすることにより、第一の基材11のスパッタ粒子Msを第二の基材12の表面に被着させる活性化工程と、第一の基材11のスパッタ粒子Msを被着された第二の基材12の表面と、スパッタエッチングされた第一の基材11の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第一の基材と第二の基材とをスパッタエッチングにより接合する基材接合方法であって、前記第一の基材が、半導体材料,化合物半導体材料,金属材料,のうちの少なくとも一種からなり、前記第一の基材の表面にイオン粒子のビームを照射して、当該第一の基材の表面をスパッタエッチングすることにより、当該第一の基材のスパッタ粒子を前記第二の基材の表面に被着させる活性化工程と、前記第一の基材の前記スパッタ粒子を被着された前記第二の基材の表面と、スパッタエッチングされた当該第一の基材の表面とを重ね合わせて接合する接合工程とを行うことを特徴とする基材接合方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , B23K 20/00 , B23K 20/24 , H01L 21/302 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L21/02 B , B23K20/00 310A , B23K20/24 , H01L21/302 201B , H01L21/302 102

Fターム (23件)：

4E167AA06 , 4E167AA08 , 4E167AA09 , 4E167AA17 , 4E167AA18 , 4E167AA29 , 4E167BA02 , 4E167CA01 , 4E167CA05 , 4E167CB01 , 4E167CB03 , 5F004AA14 , 5F004BA11 , 5F004BB18 , 5F004DA23 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004EA38 , 5F004EB08 , 5F004FA08

引用特許：

審査官引用 (4件)

接合装置、接合方法、半導体デバイスおよびMEMSデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-210099 出願人：ボンドテック株式会社, 須賀唯知
常温接合デバイス、常温接合デバイスを有するウェハおよび常温接合方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-258771 出願人：三菱重工業株式会社
常温接合装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-085405 出願人：三菱重工業株式会社

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