MFS型の電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大谷嘉一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-052989
公開番号（公開出願番号）：特開2018-157076
出願日： 2017年03月17日
公開日（公表日）： 2018年10月04日
要約：

【課題】ドーパントとしてホウ素を用いたダイヤモンドの上に強誘電体を絶縁膜としてゲート電極を形成した電界効果トランジスタの提供を目的とする。【解決手段】ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ドーパントとしてホウ素を用いたボロンドープダイヤモンドの上に、ゲート絶縁膜として強誘電体が用いられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L29/78 371 , H01L27/11585 , H01L29/78 301B

Fターム (10件)：

5F083FR05 , 5F083GA02 , 5F083HA10 , 5F101BA62 , 5F101BD02 , 5F101BD12 , 5F140AA05 , 5F140AC02 , 5F140BA04 , 5F140BD04

引用特許：

審査官引用 (2件)

ダイヤモンド電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-315608 出願人：株式会社神戸製鋼所, コウベ・スチール・ユーエスエイ・インコーポレイテッド
水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-138068 出願人：国立大学法人金沢大学

引用文献：

審査官引用 (2件)

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