特許
J-GLOBAL ID：201803009515826575
RRAMで使用するための絶縁体材料
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-155709
公開番号（公開出願番号）：特開2014-040660
特許番号：特許第6306835号
出願日： 2013年07月26日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 a)基板(1,2)を準備する工程と、
b)250°Cから500°Cの温度でのALDにより、前記基板の上に材料の層(3)を堆積させる工程とを含み、
前記堆積させる工程は、1回以上の堆積サイクルを含み、各堆積サイクルは、
少なくとも1つのHfX4パルスと、
少なくとも1つのトリメチルアルミニウム(TMA)パルスと、
1つの酸化剤(Ox)パルスと、を供給するシーケンスを含み、
Xは、Cl、Br、IおよびFから選択されたハロゲンであり、
各堆積サイクルにおいて、HfX4パルスは、TMAパルスを供給する直前または直後に供給する、
基板(1,2)の上に材料の層(3)を製造する方法。
IPC (6件)：
C23C 16/32 ( 200 6.01)
, H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 45/00 ( 200 6.01)
, H01L 49/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
C23C 16/32
, H01L 21/316 X
, H01L 45/00 Z
, H01L 49/00 Z
, H01L 27/105
