酸化ハフニウムアルミニウム絶縁膜

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤紘一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-512179
公開番号（公開出願番号）：特表2005-529492
出願日： 2003年06月05日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

HfAlO3を含む絶縁膜及びかかる絶縁膜の製造方法により、SiO2で得られるよりも酸化物等価膜厚が小さい高信頼度のゲート絶縁膜が得られる。ゲート絶縁膜はハフニウム工程及びアルミニウム工程を用いる原子層堆積法により形成される。ハフニウム工程はHfAlO3及び水蒸気を使用する。アルミニウム工程は、トリメチルアルミニウム、A+(CH3)3、またはアレイン(AlH3)とジメチルエチルアミン[N(CH3)2(C2H5)]の付加物であるDMEAAを蒸留水蒸気と共に使用する。HfAlO3被膜を含むこれらのゲート絶縁膜は熱力学的安定性を有するため、処理時のHfAlO3被膜とシリコン基板または他の構造との反応は最小限に抑えられる。

請求項（抜粋）：

電子デバイスの形成方法であって、基板を収容した反応室内にハフニウム含有原料をパルスモードで供給し、アルミニウム含有原料を反応室内にパルスモードで供給して絶縁膜を形成するステップより成る電子デバイスの形成方法。

IPC (10件)：

H01L21/316 , C23C16/40 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (7件)：

H01L21/316 X , C23C16/40 , H01L27/10 461 , H01L29/78 301G , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 671Z

Fターム (47件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF06 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F083AD01 , 5F083EP23 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083JA12 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA06 , 5F083LA10 , 5F083PR21 , 5F083ZA13 , 5F101BA07 , 5F101BA26 , 5F101BA35 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F140AA00 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD16 , 5F140BD17 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04

引用特許：

審査官引用 (11件)

基板処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-244730 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
ドープジルコニアまたはジルコニア様の誘電体膜トランジスタ構造およびその堆積方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-142471 出願人：シャープ株式会社
ド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品及びド-プされた金属酸化物誘電体材料を有する電子部品の作製プロセス
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-065742 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド

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