特許
J-GLOBAL ID：200903092506489803

キャパシタ及びその製造方法

発明者：
吉 ▲ドク▼ 信

吉 ▲ドク▼ 信 について

, 
盧 載 盛

盧 載 盛 について

, 
孫 賢 哲

孫 賢 哲 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (6件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治 ,  井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-129856
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159271
出願日： 2004年04月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 酸化ハフニウム及び酸化アルミニウムを有する誘電膜を備えたキャパシタにおいて、高電圧印加領域で高い絶縁破壊電圧特性を得ることができ、上部電極の形成後に行われる後続する熱処理工程によりリーク電流が増加するのを防ぐことができるキャパシタ、及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 下部電極21、混合誘電膜22及び上部電極23の順で積層されたキャパシタであって、混合誘電膜22が、上部電極23または下部電極21と接する部分に、酸化ハフニウム22Bと酸化アルミニウム22Aとが混合された混合誘電膜を備える。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
下部電極、誘電膜及び上部電極の順で積層されたキャパシタであって、 前記誘電膜が、前記上部電極または前記下部電極と接する部分に、酸化ハフニウムと酸化アルミニウムとが混合された混合誘電膜を備えていることを特徴とするキャパシタ。
IPC (5件)：
H01L21/8242 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108
FI (3件)：
H01L27/10 651 ,  H01L21/316 B ,  H01L27/04 C
Fターム (33件)：
4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  5F038AC02 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ17 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF22 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F083AD11 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083JA03 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第5733661号明細書
  • 米国特許出願公開第2003/0183862号明細書
審査官引用 (8件)
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