特許
J-GLOBAL ID:201803010149151924
研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウエハ製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
安部 誠
, 大井 道子
, 谷 征史
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-200640
公開番号(公開出願番号):特開2015-070008
特許番号:特許第6295052号
出願日: 2013年09月26日
公開日(公表日): 2015年04月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】 シリコンウエハを研磨するための研磨用組成物であって、
複数の突起を表面に有するシリカ粒子を砥粒として含み、
さらに第四級アンモニウム塩およびアルカリ金属炭酸塩を含み、
前記第四級アンモニウム塩の含有量は、前記砥粒1kgにつき0.5モル以上であり、
前記アルカリ金属炭酸塩の含有量は、前記砥粒1kgにつき0.3モル以上であり、
さらに、オキシアルキレン単位を含むポリマー、窒素原子を含有するポリマーおよびポリビニルアルコールから選択される1種または2種以上の水溶性ポリマーを含み、
前記水溶性ポリマーの含有量は、前記砥粒1kgにつき2g以下である、研磨用組成物。
IPC (5件):
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 37/00 ( 201 2.01)
, B24B 37/04 ( 201 2.01)
, C09K 3/14 ( 200 6.01)
, C09G 1/02 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 621 D
, B24B 37/00 H
, B24B 37/04
, C09K 3/14 550 Z
, C09K 3/14 550 D
, C09G 1/02
引用特許:
出願人引用 (3件)
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研磨用組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-079850
出願人:株式会社フジミインコーポレーテッド
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ウエーハの研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-278970
出願人:信越半導体株式会社
-
研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-027495
出願人:株式会社フジミインコーポレーテッド
審査官引用 (3件)
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研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-027495
出願人:株式会社フジミインコーポレーテッド
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研磨用組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-079850
出願人:株式会社フジミインコーポレーテッド
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ウエーハの研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-278970
出願人:信越半導体株式会社
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