特許
J-GLOBAL ID：201803010180094718
III族窒化物半導体単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-215775
公開番号（公開出願番号）：特開2018-027893
出願日： 2017年11月08日
公開日（公表日）： 2018年02月22日
要約：
【課題】クラックの発生を抑えつつスライスし、半導体基板を得ることのできるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、円形の基板1の主面上に、円柱状のIII族窒化物半導体単結晶2をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体単結晶2の外周縁側の円筒状領域4を除去し、III族窒化物半導体単結晶2の円筒状領域4の内側の円柱状領域3を残す工程と、を含み、円筒状領域4の除去は、III族窒化物半導体単結晶2中の歪みのバランスが崩れないように、III族窒化物半導体単結晶2の形状が常にIII族窒化物半導体単結晶2の中心軸を対称軸とする軸対称性を保つように実施され、円筒状領域4は、円柱状領域3と不純物の濃度が異なる領域を含む、III族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供する。【選択図】図3B
請求項（抜粋）：
円形の基板の主面上に、III族窒化物半導体単結晶をエピタキシャル成長させる工程と、
前記III族窒化物半導体単結晶の外周縁側の第1の領域を除去し、前記III族窒化物半導体単結晶の前記第1の領域の内側の第2の領域を残す工程と、
を含み、
前記第1の領域の除去は、前記III族窒化物半導体単結晶中の歪みのバランスが崩れないように、前記III族窒化物半導体単結晶の形状が常に前記III族窒化物半導体結晶の中心軸を対称軸とする軸対称性を保つように実施され、
前記第1の領域は、前記第2の領域と不純物の濃度が異なる領域を含む、
III族窒化物半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 33/00
, H01L 21/304
C30B29/38 D
, C30B33/00
, H01L21/304 631
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EB06
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077FG11
, 4G077FG16
, 5F057AA05
, 5F057BA01
, 5F057BB06
, 5F057CA06
, 5F057DA11
, 5F057EB20
