特許
J-GLOBAL ID：201803010603670516

多層金属誘電体膜のPVD堆積とアニール

発明者：
ユイ, ミンルイ

ユイ, ミンルイ について

, 
マー, カイ

マー, カイ について

, 
クォン, トーマス

クォン, トーマス について

, 
シン, カウシャル ケー.

シン, カウシャル ケー. について

, 
ピン, アル-シュアン

ピン, アル-シュアン について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-565799
公開番号（公開出願番号）：特表2018-527456
出願日： 2016年06月03日
公開日（公表日）： 2018年09月20日
要約：
本開示は、基板上に形成された膜スタック構造と、基板上に膜スタック構造を形成する方法を提供する。一実施形態では、基板上に膜スタック構造を形成する方法は、基板上に形成された酸化物層上に第1の付着層を堆積することと、第1の付着層上に金属層を堆積することとを含み、第1の付着層と金属層が、応力中立構造を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に膜スタックを形成する方法であって、 前記基板上に形成された酸化物層の上に1つ以上の付着層を堆積させることと、 前記1つ以上の付着層の第1の付着層の上に金属層を堆積させることによって、応力中立構造を形成することと を含む方法。
IPC (12件)：
C23C 14/06 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/115 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/42
FI (10件)：
C23C14/06 N ,  H01L21/88 R ,  H01L21/285 P ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11551 ,  H01L29/78 371 ,  C23C14/06 A ,  C23C14/14 D ,  C23C14/58 A ,  C23C16/42
Fターム (50件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029EA01 ,  4K029GA01 ,  4K030AA11 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB33 ,  4M104DD33 ,  4M104DD78 ,  4M104FF13 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033MM05 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033WW02 ,  5F033XX19 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F101BD16 ,  5F101BD30 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM