特許
J-GLOBAL ID：200903035513107246
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-030479
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241679
出願日： 2003年02月07日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：
【課題】キャパシタを有する半導体装置に関し、キャパシタの膜剥がれを防止しリーク電流を低減することを目的とする。【解決手段】絶縁膜11の上に形成された異なる材料の積層構造からなり且つ-2×109 〜5×109 dyne/cm2の応力を有するキャパシタ下部電極14aと、キャパシタ下部電極14aの上に形成された誘電体膜15aと、誘電体膜15aの上に形成されたキャパシタ上部電極16aとを含む。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の上に形成された異なる材料の積層構造からなり且つ-2×109 〜5×109 dyne/cm2の応力を有するキャパシタ下部電極と、
前記キャパシタ下部電極の上に形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜の上に形成されたキャパシタ上部電極と、
前記キャパシタ下部電極、前記誘電体膜及び前記キャパシタ上部電極からなるキャパシタを覆う第2絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (23件)：
5F083FR02
, 5F083GA06
, 5F083GA27
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA33
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA56
, 5F083MA05
, 5F083MA06
, 5F083MA18
, 5F083MA19
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083NA02
, 5F083PR22
, 5F083PR34
, 5F083PR40
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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