特許

J-GLOBAL ID：201803010684689330

半導体装置

発明者： 大川 峰司
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-189852
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056298
出願日： 2016年09月28日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】縦型ドリフト領域(即ち、JFET領域)を有する半導体装置において、耐圧とオン抵抗の間に存在するトレードオフの関係を改善する。【解決手段】半導体装置1は、窒化物半導体層20の表面上の一部に設けられているP型半導体領域42を備える。P型半導体領域42は、縦型ドリフト領域21bが窒化物半導体層20の表面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層と、 前記半導体層の一方の主面上の一部に設けられている絶縁ゲート部と、 前記半導体層の前記主面上の他の一部に設けられている第1導電型半導体領域と、を備えており、 前記半導体層は、 前記主面に露出する第2導電型の縦型ドリフト領域と、 前記縦型ドリフト領域に隣接しており、前記主面に露出する第1導電型のボディ領域と、 前記ボディ領域によって前記縦型ドリフト領域から隔てられており、前記主面に露出する第2導電型のソース領域と、を有しており、 前記絶縁ゲート部は、前記縦型ドリフト領域と前記ソース領域を隔てている前記ボディ領域に対向しており、 前記第1導電型半導体領域は、前記縦型ドリフト領域が前記半導体層の前記主面に露出する範囲の少なくとも一部に対向する、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/06

FI (7件)：

H01L29/78 652J ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652K ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-078280   出願人：ローム株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-173649   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-171095   出願人：日産自動車株式会社