半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-078280
公開番号（公開出願番号）：特開2011-211020
出願日： 2010年03月30日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：

【課題】耐圧性に優れ、歩留まりよく製造することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置1は、N+型ソース領域15とN-型ドリフト領域13とがエピタキシャル層8の表面9(主面)に垂直な縦方向にP型ボディ領域12を介して離間して配置された、縦型構造を有する。エピタキシャル層8上には、ゲート絶縁膜19が形成されている。このゲート絶縁膜上には、ゲート電極20が形成されており、ゲート電極20は、ボディ領域12に対向している。そして、互いに隣り合うボディ領域12の間(ボディ間領域16には、エピタキシャル層8にP型不純物をインプランテーションすることにより、P-型のインプラ領域21が形成されている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表層部に、間隔を空けて複数形成された第2導電型のボディ領域と、各前記ボディ領域の表層部に形成された第1導電型のソース領域と、前記半導体層上に設けられ、隣り合う前記ボディ領域の間に跨るゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられ、前記ボディ領域に対向するゲート電極と、隣り合う前記ボディ領域の間に設けられ、前記ゲート絶縁膜に生じる電界を緩和する電界緩和部とを含む、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652J , H01L29/78 652S , H01L29/78 658A , H01L29/78 652K , H01L29/78 658F

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-173649 出願人：株式会社東芝
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-268778 出願人：OKIセミコンダクタ株式会社
縦型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-259346 出願人：日本電装株式会社

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