特許
J-GLOBAL ID：201803011045737320
半導体発光素子及び発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 柴山 健一
, 寺澤 正太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-174708
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041832
出願日： 2016年09月07日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
要約：
【課題】S-iPMレーザの出力から0次光を取り除くことができる半導体発光素子及び発光装置を提供する。【解決手段】レーザ素子1Aは、活性層12と、一対のクラッド層11,13と、クラッド層13と活性層12との間に設けられた位相変調層15Aと、を備える。クラッド層13は、傾斜した方向に出力される所望の光像に対して透過特性を有するとともに垂直な方向に出力される0次光に対して反射特性を有するDBR層18を含む。位相変調層15Aは、基本層15aと、基本層15aとは屈折率が異なる複数の異屈折率領域15bとを有し、位相変調層15Aの厚さ方向に垂直な面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、各異屈折率領域15bの重心が仮想的な正方格子の格子点から離れて配置されるとともに、該格子点から重心へのベクトルの向きが各異屈折率領域15b毎に個別に設定されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
積層方向において互いに対向する光出射面及び光反射面を有し、前記光出射面に垂直な方向に対して傾斜した方向を含む二次元的な任意形状の光像を出力する半導体発光素子であって、
活性層と、
前記活性層を挟む一対のクラッド層と、
前記一対のクラッド層の何れかと前記活性層との間に設けられた位相変調層と、を備え、
前記一対のクラッド層のうち前記活性層及び前記位相変調層と前記光出射面との間に設けられた前記クラッド層は、前記光像のうち前記傾斜した方向に出力される所望の光像に対して透過特性を有するとともに前記垂直な方向に出力される0次光に対して反射特性を有する分布ブラッグ反射層を含み、
前記位相変調層は、基本層と、前記基本層とは屈折率が異なる複数の異屈折率領域とを有し、
前記位相変調層の厚さ方向に垂直な面内において仮想的な正方格子を設定した場合に、各異屈折率領域の重心が前記仮想的な正方格子の格子点から離れて配置されるとともに、該格子点から前記重心へのベクトルの向きが各異屈折率領域毎に個別に設定されている、ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AC13
, 5F173AC26
, 5F173AC53
, 5F173AG20
, 5F173AH03
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AR59
審査官引用 (1件)
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“Phase-modulating lasers toward on-chip integration”
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