特許
J-GLOBAL ID：201803011856815754

表示装置、表示モジュール及び電子機器

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小山 潤

小山 潤 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-182678
公開番号（公開出願番号）：特開2017-010049
特許番号：特許第6276355号
出願日： 2016年09月20日
公開日（公表日）： 2017年01月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1及び第2のチャネル形成領域と、第1乃至第9の導電層と、絶縁層と、正孔注入層と、窒化珪素膜と、を有し、 前記第2の導電層は、前記第1のチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、 前記第3の導電層は、前記第2のチャネル形成領域と重なる領域を有し、 前記第4の導電層は、前記第1のチャネル形成領域を介して、前記第5の導電層と電気的に接続され、 前記第5の導電層は、前記第3の導電層と電気的に接続され、 前記第6の導電層は、前記第2のチャネル形成領域を介して、前記第7の導電層と電気的に接続され、 前記第8の導電層は、画素電極として機能する領域を有し、 前記第8の導電層は、前記第7の導電層と電気的に接続され、 前記絶縁層は、バンクとして機能する領域を有し、 前記正孔注入層は、前記第8の導電層と前記第9の導電層との間の領域を有し、 前記正孔注入層は、前記絶縁層と前記第9導電層との間の領域を有し、 前記窒化珪素膜は、前記第9の導電層上方に位置する領域を有することを特徴とする表示装置。
IPC (9件)：
G09F 9/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/12 ( 200 6.01) ,  H05B 33/22 ( 200 6.01) ,  H05B 33/26 ( 200 6.01) ,  H05B 33/28 ( 200 6.01) ,  G09G 3/3225 ( 201 6.01) ,  G09G 3/20 ( 200 6.01) ,  G09G 3/36 ( 200 6.01)
FI (20件)：
G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/22 Z ,  H05B 33/22 A ,  H05B 33/22 C ,  H05B 33/26 Z ,  H05B 33/28 ,  G09G 3/322 ZIT ,  G09G 3/20 691 C ,  G09G 3/20 612 B ,  G09G 3/20 624 B ,  G09G 3/20 641 D ,  G09G 3/20 641 E ,  G09G 3/20 641 K ,  G09G 3/20 621 M ,  G09G 3/20 680 G ,  G09G 3/20 623 F ,  G09G 3/36
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM