特許
J-GLOBAL ID：201803011970505390

酸化物半導体膜の作製方法

発明者：
宮永 昭治

宮永 昭治 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-047444
公開番号（公開出願番号）：特開2018-133576
出願日： 2018年03月15日
公開日（公表日）： 2018年08月23日
要約：
【課題】安定した電気特性を有するトランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製するための、半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。【解決手段】絶縁表面を有する基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜にマイクロ波または高周波の電磁波を照射し、電磁波が照射された酸化物半導体膜上にソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に酸化物半導体膜の一部と接する酸化物絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜を1MHz以上3THz以下の電磁波に晒す処理と、加熱処理とを、大気圧下における露点が-60°C以下の空気中において並行して行うことを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618Z
Fターム (60件)：
5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK08 ,  5F110HK15 ,  5F110HK21 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL27 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (5件)
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