特許
J-GLOBAL ID：201803012449185491

半導体基板上におけるグラフェンの直接形成方法

発明者：
マイケル・アール・シークリスト

マイケル・アール・シークリスト について

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ビーカス・ベリー

ビーカス・ベリー について


出願人/特許権者：
エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド

エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド について

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カンザス ステイト ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション

カンザス ステイト ユニバーシティ リサーチ ファウンデーション について


代理人 (3件)： 鮫島 睦 ,  言上 惠一 ,  山尾 憲人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-537240
特許番号：特許第6291413号
出願日： 2012年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板を作製するための方法であって、 前記半導体基板は、一方が前記半導体基板のフロント表面であり、他方が前記半導体基板のバック表面である実質的に平行な2つの主面と、前記半導体基板のフロント表面と前記半導体基板のバック表面とを繋ぎ合わせる周縁端と、を含み、 当該方法は、 フロント金属フィルム表面と、バック金属フィルム表面と、前記フロント金属フィルム表面と前記バック金属フィルム表面との間のバルク金属領域と、を含み、前記バック金属フィルム表面が、前記半導体基板のフロント表面と接触する金属フィルムを、前記半導体基板のフロント表面上に形成することと、 還元雰囲気中、前記金属フィルムのバルク金属領域に炭素原子を内部拡散させるのに十分な温度で、前記フロント金属フィルム表面に炭素含有ガスを接触させることと、 前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間に炭素原子を析出させグラフェンの単一原子層を形成する場合に、半導体基板の上に金属フィルムを有する半導体基板を冷却速度5°C/秒〜50°C/秒で冷却することにより、前記炭素原子を析出させ、それにより、前記半導体基板のフロント表面と前記バック金属フィルム表面との間にグラフェンの単一原子層を形成することと、を含む方法。
IPC (3件)：
C01B 32/05 ( 201 7.01) ,  C01B 32/15 ( 201 7.01) ,  H01L 21/314 ( 200 6.01)
FI (3件)：
C01B 32/05 ,  C01B 32/15 ,  H01L 21/314 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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