特許
J-GLOBAL ID：201803012515200944
誘電体薄膜および薄膜キャパシタの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
梁瀬 右司
, 振角 正一
, 丸山 陽介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-140633
公開番号（公開出願番号）：特開2018-011028
出願日： 2016年07月15日
公開日（公表日）： 2018年01月18日
要約：
【課題】誘電体薄膜の前駆体溶液を結晶化する熱処理工程において、高速昇温により結晶化温度以上の温度で熱処理を行うことで、誘電体薄膜中に炭素化合物が生成されず、特性低下を防止する。【解決手段】誘電体薄膜5の製造方法は、誘電体前駆体溶液を基板の主面に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で、溶液中の溶媒を揮発させる第1の熱処理工程と、誘電体前駆体の熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体の結晶化温度よりも高い温度で熱処理を施し、誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第2の熱処理工程とを備え、第2の熱処理工程における結晶化温度までの昇温速度は50°C/秒以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
誘電体の原料である誘電体前駆体の溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体膜を形成する塗布工程と、
前記誘電体前駆体の熱分解温度よりも低い温度で前記溶液中の溶媒を揮発させる第1の熱処理工程と、
前記熱分解温度よりも高く、かつ、誘電体結晶化温度よりも高い温度に昇温し、前記誘電体前駆体の熱分解および誘電体の結晶化を行う第2の熱処理工程とを備え、
前記第2の熱処理工程は、前記熱分解温度から前記誘電体結晶化温度までの昇温速度が50°C/秒以上であることを特徴とする誘電体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G4/06 102
, H01G4/12 400
5E001AB06
, 5E001AH01
, 5E001AJ02
, 5E082EE05
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG46
, 5E082FG54
