電界効果型トランジスタ、表示素子、画像表示装置、及びシステム

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：廣田浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-000255
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056596
出願日： 2018年01月04日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】高速動作が可能であり、かつ高信頼性を示す電界効果型トランジスタの提供。【解決手段】基材と、保護層と、前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と接するように形成されたソース電極、及びドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極、及び前記ドレイン電極の間に形成され、前記ゲート絶縁層、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極と接する半導体層と、前記ゲート絶縁層を挟んで前記半導体層とは反対側に形成され、前記ゲート絶縁層と接するゲート電極とを有し、前記保護層が、少なくともSiと、アルカリ土類金属とを含有する複合金属酸化物を含有する電界効果型トランジスタである。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

基材と、保護層と、前記基材、及び前記保護層の間に形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層と接する半導体層と、前記ゲート絶縁層を挟んで前記半導体層とは反対側に形成され、前記ゲート絶縁層と接するゲート電極とを有し、前記保護層が、少なくともSiと、アルカリ土類金属と、Alとを含有する複合金属酸化物を含有することを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , G02F 1/136 , G09F 9/30 , G09F 9/37 , H01L 27/32 , H01L 51/50

FI (9件)：

H01L29/78 619A , H01L29/78 618B , G02F1/1368 , G09F9/30 338 , G09F9/30 365 , G09F9/30 380 , G09F9/37 , H01L27/32 , H05B33/14 A

Fターム (81件)：

2H192AA24 , 2H192CB02 , 2H192CB05 , 2H192CB37 , 2H192DA12 , 2H192EA74 , 2H192HA23 , 2H192HA90 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107CC31 , 3K107EE04 , 3K107FF14 , 5C094AA21 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094BA52 , 5C094BA75 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094GA10 , 5C094JA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG24 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN71 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
p型酸化物、p型酸化物製造用組成物、p型酸化物の製造方法、半導体素子、表示素子、画像表示装置、及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-045666 出願人：株式会社リコー
特開昭59-150430

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