特許
J-GLOBAL ID：201803013227386630

半導体装置

発明者：
上杉 航

上杉 航 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-250258
公開番号（公開出願番号）：特開2017-055461
特許番号：特許第6298144号
出願日： 2016年12月23日
公開日（公表日）： 2017年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、を有し、 前記第1のトランジスタは、第1の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第3のトランジスタは、第3の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第4のトランジスタは、第4の酸化物半導体層にチャネル形成領域を有し、 前記第2のトランジスタは、前記第2の酸化物半導体層を間に挟んで前記第1のゲート電極及び第2のゲート電極を有し、 前記第4のトランジスタは、前記第4の酸化物半導体層を間に挟んで前記第3のゲート電極及び第4のゲート電極を有し、 前記第2のトランジスタの前記第1のゲート電極は、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第4のトランジスタの前記第3のゲート電極は、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第1の容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第2のトランジスタの前記第1のゲート電極と電気的に接続され、 前記第2の容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第4のトランジスタの前記第3のゲート電極と電気的に接続され、 前記第1の容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2の容量素子の一対の電極のうちの他方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、 前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、 前記第1のトランジスタがオフ状態となることによって、前記第2のトランジスタの前記第1のゲート電極が浮遊状態となり、 前記第3のトランジスタがオフ状態となることによって、前記第4のトランジスタの前記第3のゲート電極が浮遊状態となり、 前記第2のゲート電極は、前記第2のトランジスタの閾値電圧を制御する機能を有し、 前記第4のゲート電極は、前記第4のトランジスタの閾値電圧を制御する機能を有し、 前記第2のゲート電極には、固定の電位が供給され、 前記第4のゲート電極には、固定の電位が供給されることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H03K 19/094 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H03K 19/094
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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