特許
J-GLOBAL ID：201803013246236844
半導体装置
出願人/特許権者：
三菱電機株式会社
三菱電機株式会社 について
代理人 (3件)： 高田 守 , 高橋 英樹 , 久野 淑己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-535243
特許番号：特許第6264379号
出願日： 2013年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】センス端子を備え、メイン電流に対して所定の分流率で与えられるセンス電流を前記センス端子より出力可能な半導体スイッチング素子と、
一端が前記センス端子に接続され、接地されるべき他端を備え、前記センス端子からの電流を受けてセンス電圧を生ずるセンス抵抗と、
補正電圧を発生する補正電圧発生回路と、
一端に前記センス電圧を受ける第1抵抗と、一端に前記補正電圧発生回路の前記補正電圧を受けて他端が前記第1抵抗の他端に接続する第2抵抗と、を含み、前記センス電圧を前記補正電圧で補正した補正後センス電圧を前記第1抵抗と前記第2抵抗との接続点から出力する分圧回路と、
前記補正後センス電圧が入力され、前記補正後センス電圧が閾値電圧より大きい場合に停止信号を出力する過電流保護回路と、
前記過電流保護回路から前記停止信号を受けると前記半導体スイッチング素子の駆動を停止する駆動回路と、
前記半導体スイッチング素子の素子温度を測定する温度センサと、
を備え、
前記補正電圧発生回路は、前記温度センサの出力に基づいて前記素子温度が高いほど前記補正電圧を下げ、
前記補正電圧発生回路は、制御端子、前記制御端子で導通状態を制御される第1端子および第2端子を備えたトランジスタを含み、
前記第1端子には電圧源から電源が供給され、前記第2端子から前記補正電圧を出力し、
前記温度センサは、前記制御端子にアノード電位を入力するアノードおよび接地されるべきカソードを備えた温度センサダイオードを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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