特許
J-GLOBAL ID:201803013355015920

希土類磁石の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 青木 篤 ,  鶴田 準一 ,  古賀 哲次 ,  関根 宣夫 ,  河野上 正晴
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-087337
公開番号(公開出願番号):特開2018-186200
出願日: 2017年04月26日
公開日(公表日): 2018年11月22日
要約:
【課題】R1-T-B系希土類磁石を前駆体として、その前駆体の内部に、浸透材を浸透させて、保磁力を向上させるとともに、磁化の低下を抑制させる希土類磁石の製造方法を提供する。【解決手段】R1-T-B系の主相(R1は希土類元素、TはFe及びCoから選ばれる1種以上)と、前記主相の周囲に存在するR1リッチの粒界相とを備える希土類磁石前駆体に、R2-Cu-Fe-Ga系合金(R2は希土類元素)を接触させて、接触体を得ること、及び、前記接触体を熱処理して、前記R2-Cu-Fe-Ga系合金を前記希土類磁石前駆体の内部に浸透させること、を含む、希土類磁石の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
R1-T-B系の主相(R1は、希土類元素、Tは、Fe及びCoから選ばれる1種以上)と、前記主相の周囲に存在するR1リッチの粒界相とを備える希土類磁石前駆体に、R2-Cu-Fe-Ga系合金(R2は、希土類元素)を接触させて、接触体を得ること、及び、 前記接触体を熱処理して、前記R2-Cu-Fe-Ga系合金を前記希土類磁石前駆体の内部に浸透させること、 を含む、希土類磁石の製造方法。
IPC (7件):
H01F 41/02 ,  H01F 1/057 ,  B22F 3/00 ,  B22F 3/26 ,  C22C 33/02 ,  C22C 38/00 ,  C22C 28/00
FI (7件):
H01F41/02 G ,  H01F1/057 170 ,  B22F3/00 F ,  B22F3/26 B ,  C22C33/02 K ,  C22C38/00 303D ,  C22C28/00 A
Fターム (24件):
4K018AA27 ,  4K018BA02 ,  4K018BA16 ,  4K018BA18 ,  4K018BA20 ,  4K018BB01 ,  4K018BB04 ,  4K018DA11 ,  4K018DA18 ,  4K018DA19 ,  4K018EA01 ,  4K018FA11 ,  4K018FA32 ,  4K018FA35 ,  4K018FA36 ,  4K018KA45 ,  5E040AA04 ,  5E040AA19 ,  5E040BD01 ,  5E040CA01 ,  5E040HB07 ,  5E040HB11 ,  5E062CD04 ,  5E062CG02
引用特許:
審査官引用 (1件)

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