特許
J-GLOBAL ID:201803013705650500
赤外線検知素子、赤外線検知素子アレイ及び赤外線検知素子を用いて赤外線を検知する方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
青木 篤
, 伊坪 公一
, 河野 努
, 宮本 哲夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-127934
公開番号(公開出願番号):特開2018-006415
出願日: 2016年06月28日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】暗電流を低減する赤外線検知素子を提供する。【解決手段】赤外線検知素子は、第1導電層12と、第1導電層12上に配置される光吸収層13と、光吸収層13上に配置される第2導電層14と、アモルファス構造又は多結晶構造を有し、光吸収層13の側面を覆うように配置される電気的絶縁性を有する側壁部15であって、光吸収層側に配置される第1側壁層15aと、第1側壁層15aを覆うように配置され、光吸収層13と側壁部15との界面を流れるリーク電流に寄与するキャリアと同じ極性を有する電荷を第1側壁層15aとの界面又は内部に含む第2側壁層15bとを有する側壁部15と、を備える。【選択図】図4
請求項(抜粋):
第1導電層と、
前記第1導電層上に配置される光吸収層と、
前記光吸収層上に配置される第2導電層と、
アモルファス構造又は多結晶構造を有し、前記光吸収層の側面を覆うように配置される電気的絶縁性を有する側壁部であって、前記光吸収層側に配置される第1側壁層と、前記第1側壁層を覆うように配置され、前記光吸収層と前記側壁部との界面を流れるリーク電流に寄与するキャリアと同じ極性を有する電荷を前記第1側壁層との界面又は内部に含む第2側壁層とを有する側壁部と、
を備える赤外線検知素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/10 A
, H01L27/14 K
Fターム (22件):
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA19
, 4M118CA05
, 4M118CB01
, 4M118CB13
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118GA10
, 4M118HA22
, 4M118HA31
, 5F849AA04
, 5F849AB07
, 5F849BA05
, 5F849DA02
, 5F849DA35
, 5F849EA04
, 5F849LA01
, 5F849XB18
, 5F849XB34
, 5F849XB37
引用特許:
審査官引用 (4件)
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赤外線センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2012-081660
出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
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化合物半導体受光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-002417
出願人:株式会社日立製作所
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光センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-244388
出願人:旭化成エレクトロニクス株式会社
引用文献:
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