MEMSガスセンサとガス検出装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：塩入明 , 塩入みか
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-164287
公開番号（公開出願番号）：特開2018-031685
出願日： 2016年08月25日
公開日（公表日）： 2018年03月01日
要約：

【構成】 MEMSガスセンサは、Si基板の空洞上の絶縁膜に、ヒータと、電極と、金属酸化物半導体を含有するガス感応膜を備えている。ガス感応膜は、金属酸化物半導体と、金属酸化物半導体によるガスの検出温度で酸素を放出し、検出温度よりも低い温度で酸素を吸収する酸素収脱着材料を含有する。【効果】高感度なMEMSガスセンサとガス検出装置が得られる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

Si基板の空洞上の絶縁膜に、ヒータと、電極と、金属酸化物半導体を含有するガス感応膜が設けられているMEMSガスセンサにおいて、前記ガス感応膜が、前記金属酸化物半導体と、前記金属酸化物半導体によるガスの検出温度で酸素を放出し、検出温度よりも低い温度で酸素を吸収する酸素収脱着材料を含有することを特徴とする、MEMSガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (1件)：

G01N27/12 C

Fターム (19件)：

2G046BA01 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BE03 , 2G046DB07 , 2G046FB02 , 2G046FE04 , 2G046FE07 , 2G046FE09 , 2G046FE11 , 2G046FE12 , 2G046FE15 , 2G046FE21 , 2G046FE22 , 2G046FE25 , 2G046FE40 , 2G046FE45 , 2G046FE47 , 2G046FE48

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭58-030648
ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232953 出願人：フィガロ技研株式会社
薄膜ガスセンサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-239902 出願人：富士電機機器制御株式会社

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審査官引用 (7件)

特開昭58-030648
ガスセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-232953 出願人：フィガロ技研株式会社
薄膜ガスセンサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-239902 出願人：富士電機機器制御株式会社

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