特許
J-GLOBAL ID：201803014676512132
半導体発光素子及びその電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
特許業務法人磯野国際特許商標事務所
, 磯野 道造
, 多田 悦夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-260782
公開番号（公開出願番号）：特開2015-119014
特許番号：特許第6248604号
出願日： 2013年12月18日
公開日（公表日）： 2015年06月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1半導体層及び第2半導体層を有するウェハを準備する工程と、
前記第1半導体層上の一領域に第1電極を形成すると共に、前記第1半導体層上の他の領域に設けられた前記第2半導体層上に第2電極を形成する工程と、
前記第1電極及び前記第2電極上に、前記第1電極の表面を露出させる第1開口及び前記第2電極の表面を露出させる第2開口を設けた絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上の一領域に前記第1開口を通じて前記第1電極と導通した第1パッド電極を形成すると共に、前記絶縁膜上の他の領域に前記第2開口を通じて前記第2電極と導通した第2パッド電極を形成する工程と、
前記ウェハを個片化する工程と、を有し、
前記第1電極及び前記第2電極を形成する工程では、前記第1電極及び前記第2電極のうち少なくとも一方の電極を、レジストをマスクとして用いるリフトオフ法により形成し、
前記絶縁膜を形成する工程では、前記第1電極及び前記第2電極上の全面に絶縁性樹脂をスピンコート法により形成することで前記第2電極上の前記絶縁膜の厚みが1〜3μmになるように前記絶縁膜を形成し、
前記第1パッド電極及び前記第2パッド電極を形成する工程では、スパッタリング法により、前記一方の電極と導通したパッド電極を、前記絶縁膜を介して前記一方の電極とは異なる他方の電極上に形成することを特徴とする半導体発光素子の電極形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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