特許
J-GLOBAL ID：201303029446653322
半導体発光装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-141322
公開番号（公開出願番号）：特開2013-191900
出願日： 2013年07月05日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：
【課題】電極の接続性を高く維持し、小型化に適した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと絶縁層20と第2導電部30bと封止部50とを備えた半導体発光装置が提供される。発光部は、第1半導体層、発光層及び第2半導体層を含む半導体積層体10と、第2主面10aの側で第1、第2半導体層に接続された第1、第2電極14、15と、を含む。第1導電部は、第1電極に接続され、第2半導体層と離間しつつ第2半導体層の一部12pを覆う第1柱部31aを含む。絶縁層20は第2半導体層と第1柱部との間に設けられる。第2導電部は第2電極に接続され第2主面の上に立設される。封止部は第1、第2導電部の側面を覆う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1半導体層と、第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた発光層と、を含み、前記第1半導体層の側の第1主面と前記第2半導体層の側の第2主面とを有する半導体積層体と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられた領域の前記第2主面上に設けられた第1電極と、
前記半導体積層体における前記発光層が設けられていない領域の前記第2主面上に設けられた第2電極と、
を含む発光部と、
前記第1電極に電気的に接続された第1導電部であって、前記第2半導体層と離間しつつ前記第2半導体層の前記第2主面の側の一部を覆い前記第2主面に立設された第1柱部を含む前記第1導電部と、
前記第2半導体層の前記第2主面の側の前記一部と、前記第1柱部と、の間に設けられた絶縁層と、
前記第2電極に電気的に接続された第2導電部であって、前記第2主面の上に立設された第2柱部を含む第2導電部と、
前記第1導電部と前記第2導電部との間に少なくとも設けられている封止部と、
を備え、
前記第1導電部は、前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、前記第1電極と前記第1柱部とを電気的に接続する第1接続部をさらに含むことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/62
, H01L 33/38
, H01L 33/32
H01L33/00 440
, H01L33/00 210
, H01L33/00 186
5F141AA47
, 5F141CA05
, 5F141CA13
, 5F141CA40
, 5F141CA74
, 5F141CB11
, 5F141CB15
, 5F142AA56
, 5F142BA02
, 5F142CA11
, 5F142CA13
, 5F142CB07
, 5F142CG03
, 5F142CG04
, 5F142CG05
, 5F142CG13
, 5F142CG23
, 5F142CG26
, 5F142DA02
, 5F142DA14
, 5F142DB02
, 5F142FA14
, 5F142FA26
, 5F142FA32
, 5F142FA42
, 5F142FA46
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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