特許
J-GLOBAL ID：201803015670601741
アルミナ基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-022079
公開番号（公開出願番号）：特開2018-111644
出願日： 2018年02月09日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：
【課題】アルミナ基板上にAlN結晶を作成する場合、より高品質な結晶を作成できるようなアルミナ基板の製造方法を提供する。またソリの低減されたAlN層をもつアルミナ基板の製造方法を提供する。また種基板として用いた場合に、不可避に発生する格子不整合に起因する応力が過度にかかった場合には自然剥離による自立基板化を促すようなアルミナ基板の製造方法を提供する。【解決手段】アルミナ基板の製造方法は、希土類元素含有原料、基になるアルミナ基板及びカーボンを、窒素雰囲気中で加熱する窒化処理工程を備え、窒化処理工程では、基になるアルミナ基板33の表面近傍において、基になるアルミナ基板が有する酸素が窒素で置換されることにより、AlN層30が基になるアルミナ基板33の表面に形成され、AlN層の内部またはAlN層と基になるアルミナ基板との界面に希土類含有層31および/または領域が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アルミナ基板の表面に形成されたAlN層と、前記AlN層の内部または前記AlN層と前記アルミナ基板の界面に形成された希土類含有層および/または領域と、を備えるアルミナ基板の製造方法であって、
希土類元素含有原料、基になるアルミナ基板及びカーボンを、窒素雰囲気中で加熱する窒化処理工程を備え、
前記窒化処理工程において、前記基になるアルミナ基板の表面近傍において、前記基になるアルミナ基板が有する酸素が窒素で置換されることにより、前記AlN層が前記基になるアルミナ基板の表面に形成され、且つ、前記AlN層の内部または前記AlN層と前記基になるアルミナ基板との界面に前記希土類含有層および/または領域が形成される、
アルミナ基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 29/20
, C04B 41/80
C30B29/38 C
, C30B29/20
, C04B41/80 A
4G077AA02
, 4G077BB01
, 4G077BE13
, 4G077CA01
, 4G077CA08
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077JA03
, 4G077JB02
, 4G077JB12
