特許
J-GLOBAL ID：201803015804594771
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-226685
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088650
特許番号：特許第6279878号
出願日： 2013年10月31日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の一方の面にプリウェット用組成物をスピンコートする第1塗布工程と、
第1の不純物元素を有する拡散剤と溶剤とを含む拡散材料を、前記プリウェット用組成物がスピンコートされた前記一方の面にスピンコートし、前記拡散剤の塗膜を形成する第2塗布工程と、
前記塗膜が形成された前記半導体基板を熱処理し、前記拡散剤が有する不純物元素を拡散させた第1不純物拡散層を形成する第1不純物拡散層形成工程と、を有し、
前記第1塗布工程の開始から前記第2塗布工程の終了まで、前記半導体基板の回転を止めることなく連続してスピンコートを行い、
前記第2塗布工程における最大基板回転数R2は、前記第1塗布工程における最大基板回転数R1よりも大きく、
前記第2塗布工程においては、前記拡散材料を前記一方の面に供給した後に、前記第1塗布工程の基板回転数から前記第2塗布工程の基板回転数に増加させ、
停止状態の前記半導体基板を、半導体基板の一方の面にプリウェット用組成物をスピンコートする直前までの時間T1までに、前記最大基板回転数R1に達するように回転させ、
前記半導体基板の回転の開始から前記時間T1までの基板回転時間は、0.01秒以上0.2秒以下であり、
前記時間T1から、前記プリウェット用組成物をスピンコートするのを終了し前記拡散材料を前記プリウェット用組成物がスピンコートされた前記一方の面にスピンコートするのを開始する直前の時間T2まで、前記最大基板回転数R1を維持してスピンコートを行い、
前記時間T1から前記時間T2までの基板回転時間は、0.5秒以上5秒以下であり、
前記時間T2から、前記半導体基板の回転速度の加速を開始する時間T3まで、前記最大基板回転数R1を維持してスピンコートを行い、
前記時間T2から前記時間T3までの基板回転時間は、0.5秒以上1秒以下であり、
前記時間T3から、前記半導体基板の回転速度が前記最大基板回転数R2に達する時間T4まで、前記半導体基板の回転速度を加速させ、
前記時間T3から前記時間T4までの基板回転時間は、0.1秒以上1秒以下であり、
前記時間T4から、前記拡散材料をスピンコートするのを終了する時間T5まで、前記最大基板回転数R2を維持してスピンコートを行い、
前記時間T4から前記時間T5までの基板回転時間は、3秒以上8秒以下であり、
前記時間5から、前記第2塗布工程を終了する時間T6まで、前記半導体基板の回転速度を前記最大基板回転数R2から0rpmに減速し、
前記時間T5から前記時間T6までの基板回転時間は、0.1秒以上1秒以下である、
太陽電池の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/18 ( 200 6.01)
, H01L 31/068 ( 201 2.01)
, H01L 21/225 ( 200 6.01)
, B05D 1/40 ( 200 6.01)
H01L 31/04 440
, H01L 31/06 300
, H01L 21/225 R
, H01L 21/225 Q
, B05D 1/40 A
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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