特許
J-GLOBAL ID：200903044488359005

塗布膜形成方法および塗布膜形成装置

発明者：
吉原 孝介

吉原 孝介 について

, 
寺下 裕一

寺下 裕一 について

, 
堀 真也

堀 真也 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-167829
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059825
出願日： 2002年06月07日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 プリウエット方式を前提とし、使用する溶剤の種類によらず安定して塗布液の使用量を少なくすることができる塗布膜形成方法および塗布膜形成装置を提供すること。【解決手段】 被処理基板Wの表面に、塗布液が溶解する溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合液を供給する工程と(ST3)、混合液を被処理基板W表面の全面に拡げる工程(ST4)と、混合液が供給された被処理基板Wを回転させつつ被処理基板Wの略中央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する工程と(ST5)により塗布膜を形成する。
請求項（抜粋）：
被処理基板の表面に、塗布液が溶解する溶剤とその溶剤の揮発を抑制する揮発抑制物質との混合液を供給する工程と、前記混合液を前記被処理基板表面の全面に拡げる工程と、前記混合液が供給された被処理基板を回転させつつ被処理基板の略中央に塗布液を供給し、塗布液を被処理基板の径方向外方に拡げて塗布膜を形成する工程とを具備することを特徴とする塗布膜形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/027 ,  B05B 1/02 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/10 ,  G03F 7/16
FI (7件)：
B05B 1/02 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  B05D 3/10 H ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D ,  H01L 21/30 564 C
Fターム (50件)：
2H025AB16 ,  2H025EA04 ,  2H025EA05 ,  4D075AC64 ,  4D075AC82 ,  4D075AC96 ,  4D075BB68X ,  4D075BB69X ,  4D075CA48 ,  4D075DA06 ,  4D075DB13 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  4D075EA45 ,  4F033AA14 ,  4F033BA03 ,  4F033CA01 ,  4F033DA02 ,  4F033DA03 ,  4F033EA02 ,  4F033EA03 ,  4F033GA01 ,  4F033LA09 ,  4F033LA13 ,  4F033NA01 ,  4F042AA07 ,  4F042AB00 ,  4F042BA19 ,  4F042BA25 ,  4F042CA01 ,  4F042CA06 ,  4F042CA08 ,  4F042CB02 ,  4F042CB08 ,  4F042CB19 ,  4F042CB26 ,  4F042EB05 ,  4F042EB09 ,  4F042EB13 ,  4F042EB18 ,  4F042EB25 ,  4F042EB29 ,  5F046JA02 ,  5F046JA03 ,  5F046JA05 ,  5F046JA08 ,  5F046JA09 ,  5F046JA13 ,  5F046JA24
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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