特許
J-GLOBAL ID:201803016399973979
レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
新樹グローバル・アイピー特許業務法人
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-226831
公開番号(公開出願番号):特開2014-115630
特許番号:特許第6276965号
出願日: 2013年10月31日
公開日(公表日): 2014年06月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 式(I)で表される構造単位及び式(a4)で表される構造単位を含み、かつ、酸不安定基を有さない樹脂、
式(II)で表される構造単位及び酸不安定基を有する構造単位を含む樹脂、並びに、
式(B1)で表される酸発生剤を含有し、
前記酸不安定基を有する構造単位は、式(a1-1)で表される構造単位、式(a1-2)で表される構造単位及び式(a1-5)で表される構造単位からなる群から選ばれる少なくとも2種の構造単位を含むレジスト組成物。
[式(I)中、
R1は、水素原子又はメチル基を表す。
R2は、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。但し、L1との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数1〜8の脂肪族炭化水素基で置換されない。
L1は、単結合又は炭素数1〜18の2価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。]
[式(a4)中、
R3は、水素原子又はメチル基を表す。
R4は、炭素数1〜20のフッ素原子を有する飽和炭化水素基を表す。]
[式(II)中、
環T1は置換基を有していてもよい炭素数3〜34のスルトン環を表す。
R7は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Z1は、炭素数1〜17の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、カルボニル基又は酸素原子で置き換わっていてもよい。
Rcは、水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基を表す。]
[式(a1-1)及び式(a1-2)中、
La1及びLa2は、それぞれ独立に、-O-又は*-O-(CH2)k1-CO-O-を表し、k1は1〜7の整数を表し、*は-CO-との結合手を表す。
Ra4及びRa5は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ra6及びRa7は、それぞれ独立に、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数3〜18の脂環式炭化水素基又はこれらを組合わせた基を表す。
m1は0〜14の整数を表す。
n1は0〜10の整数を表す。
n1’は0〜3の整数を表す。]
式(a1-5)中、
Ra11は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数1〜6のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Za11は、単結合又は*-[CH2]k1’-CO-La14-を表す。ここで、k1’は1〜4の整数を表す。*は、La11との結合手を表す。
La11、La12、La13及びLa14は、それぞれ独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
s1は、1〜3の整数を表す。
s1’は、0〜3の整数を表す。
[式(B1)中、
Qb1及びQb2は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数1〜6のペルフルオロアルキル基を表す。
Lb1は、式(b1-1)で表される基を表す。
Yは、置換基を有していてもよい炭素数1〜18のアルキル基又は置換基を有していてもよい炭素数3〜18の脂環式炭化水素基を表し、該アルキル基及び該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Zb+は、有機カチオンを表す。]
(式(b1-1)中、
Lb2は、単結合又は炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Lb2’は、単結合又は炭素数1〜15の2価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。)
IPC (3件):
G03F 7/038 ( 200 6.01)
, G03F 7/039 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
FI (3件):
G03F 7/038 601
, G03F 7/039 601
, G03F 7/004 503 A
引用特許: