特許
J-GLOBAL ID：201803016830515053
半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-202832
公開番号（公開出願番号）：特開2018-064061
出願日： 2016年10月14日
公開日（公表日）： 2018年04月19日
要約：
【課題】動作電圧を低減することが可能な半導体発光素子を提供すること。【解決手段】13族窒化物半導体により形成された第1の半導体積層構造であって、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む第1の半導体積層構造と、13族窒化物半導体により形成された第2の半導体積層構造であって、前記第1の半導体積層構造と接続され、二次元正孔ガスを形成する積層構造を有し、前記二次元正孔ガスを電流経路とする第2の半導体積層構造と、前記第1の半導体積層構造に接続されたn側電極と、前記第2の半導体積層構造に接続されたp側電極と、を有する半導体発光素子により上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
13族窒化物半導体により形成された第1の半導体積層構造であって、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を含む第1の半導体積層構造と、
13族窒化物半導体により形成された第2の半導体積層構造であって、前記第1の半導体積層構造と接続され、二次元正孔ガスを形成する積層構造を有し、前記二次元正孔ガスを電流経路とする第2の半導体積層構造と、
前記第1の半導体積層構造に接続されたn側電極と、
前記第2の半導体積層構造に接続されたp側電極と、
を有する、
半導体発光素子。
IPC (5件)：
H01S 5/323
, H01S 5/183
, H01L 33/32
, H01L 33/14
, H01S 5/22
H01S5/323 610
, H01S5/183
, H01L33/32
, H01L33/14
, H01S5/22
5F173AA21
, 5F173AC03
, 5F173AC14
, 5F173AC35
, 5F173AC46
, 5F173AC52
, 5F173AF24
, 5F173AG21
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AR64
, 5F241AA21
, 5F241CA05
, 5F241CA12
, 5F241CA23
, 5F241CA40
, 5F241CA65
, 5F241CA66
, 5F241CA77
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
-
"Characterization of two-dimensional hole gas at GaN/AlGaN heterointerface"
審査官引用 (1件)
-
"Characterization of two-dimensional hole gas at GaN/AlGaN heterointerface"
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