特許
J-GLOBAL ID：201803016946896844
III族窒化物半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
藤谷 修
, 一色 昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-145665
公開番号（公開出願番号）：特開2018-016497
出願日： 2016年07月25日
公開日（公表日）： 2018年02月01日
要約：
【課題】フラックス法によるIII 族窒化物半導体の育成において、未成長領域や異常粒成長領域を低減すること。【解決手段】種基板1は、下地となる下地基板2上に、III 族窒化物半導体層3が形成され、III 族窒化物半導体層3上にマスク4が形成された構成である。マスク4には、正三角格子状のドット状に複数の窓5が空けられている。この種基板1を用いて、フラックス法により種基板1上にIII 族窒化物半導体を育成する。ここで、混合融液にはアルカリ金属に対して0mol%より大きく0.3mol%以下の炭素を添加する。これにより種基板1上に育成したIII 族窒化物半導体結晶6は、未成長領域や異常粒成長領域が低減されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長の起点となる種結晶領域がドット状に点在された種基板の上に、アルカリ金属とIII 族金属の混合融液を用いたフラックス法によってIII 族窒化物半導体を成長させるIII 族窒化物半導体の製造方法において、
前記混合融液は、アルカリ金属に対して0mol%より大きく0.3mol%以下の炭素を含む、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
4G077AA02
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EE05
, 4G077EE07
, 4G077LA01
