特許
J-GLOBAL ID:201203039686568037
13族窒化物結晶の製造方法、13族窒化物結晶基板の製造方法、13族窒化物結晶および13族窒化物結晶基板
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
酒井 宏明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-061502
公開番号(公開出願番号):特開2012-197194
出願日: 2011年03月18日
公開日(公表日): 2012年10月18日
要約:
【課題】大口径かつ反りが少ない13族窒化物結晶の製造方法、13族窒化物結晶基板の製造方法、13族窒化物結晶および13族窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう13族窒化物結晶の成長開始領域105を配置する第1の工程と、前記各成長開始領域105から結晶方位を揃えて前記13族窒化物結晶106を成長させる第2の工程と、結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記13族窒化物結晶13を連結させて、前記下地基板の主面上に13族窒化物結晶層1100を形成する第3の工程と、前記13族窒化物結晶層1100の冷却過程において、前記13族窒化物結晶層1100と前記下地基板とを剥離させる第4の工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図3-4
請求項(抜粋):
下地基板の主面上において、三角格子の格子点位置となるよう13族窒化物結晶の成長開始領域を配置する第1の工程と、
前記各成長開始領域から結晶方位を揃えて前記13族窒化物結晶を成長させる第2の工程と、
結晶成長を継続させて、隣り合う前記成長開始領域から結晶成長した複数の前記13族窒化物結晶を連結させて、前記下地基板の主面上に13族窒化物結晶層を形成する第3の工程と、
前記13族窒化物結晶層の冷却過程において、前記13族窒化物結晶層と前記下地基板とを剥離させる第4の工程と、
を含むことを特徴とする13族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/38
, C30B 9/00
, H01L 33/32
FI (3件):
C30B29/38 D
, C30B9/00
, H01L33/00 186
Fターム (16件):
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077FJ06
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 5F041CA34
, 5F041CA65
, 5F141CA34
, 5F141CA65
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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