特許
J-GLOBAL ID：201803017054400700

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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廣橋 拓也

廣橋 拓也 について

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高橋 正弘

高橋 正弘 について

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島津 貴志

島津 貴志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-151105
公開番号（公開出願番号）：特開2016-201564
特許番号：特許第6251781号
出願日： 2016年08月01日
公開日（公表日）： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極と、 ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体積層体と、 ソース電極と、 ドレイン電極と、を有し、 前記酸化物半導体積層体は、第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層上の第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層上の第3の酸化物半導体層と、を有し、 前記ソース電極は、前記第2の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第3の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第3の酸化物半導体層の側面と接する領域と、を有し、 前記ドレイン電極は、前記第2の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第3の酸化物半導体層の上面と接する領域と、前記第3の酸化物半導体層の側面と接する領域と、を有し、 前記第1の酸化物半導体層及び前記第3の酸化物半導体層の各々は、In、Sn、Ga、Zn、Al、Mgから選ばれた少なくとも2種の金属元素を含む金属酸化物を有し、 前記第2の酸化物半導体層は、Znを含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/78 618 E ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 27/088 E ,  H01L 21/20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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