特許
J-GLOBAL ID：201803017326083998

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
中村 剛

中村 剛 について

, 
丹野 一石

丹野 一石 について

, 
イ ジュンヨプ

イ ジュンヨプ について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (4件)： 棚井 澄雄 ,  松本 将尚 ,  宮本 龍 ,  飯田 雅人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-009211
公開番号（公開出願番号）：特開2018-124548
出願日： 2018年01月23日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：
【課題】改善されたCDUを有するレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により酸を発生し、かつ、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、少なくとも2種の特定の構成単位を有する酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する高分子化合物を含有するレジスト組成物。また、本発明は、前記レジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、及び前記露光後のレジスト膜を現像液を用いた現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する成分(A)、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するレジスト組成物であって、 前記成分(A)が、下記一般式(1)で表される構成単位(a1)及び下記一般式(2)で表される構成単位(a2)を有する高分子化合物を含有することを特徴とする、レジスト組成物。
IPC (4件)：
G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  C08F 220/18 ,  G03F 7/20
FI (4件)：
G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  C08F220/18 ,  G03F7/20 521
Fターム (64件)：
2H197AA12 ,  2H197CA01 ,  2H197CA08 ,  2H197CA09 ,  2H197CA10 ,  2H197CE01 ,  2H197CE10 ,  2H197GA01 ,  2H197HA03 ,  2H197HA05 ,  2H197JA22 ,  2H225AF23P ,  2H225AF24P ,  2H225AF52P ,  2H225AF54P ,  2H225AF67P ,  2H225AF68P ,  2H225AF71P ,  2H225AF73P ,  2H225AF75P ,  2H225AF99P ,  2H225AH11 ,  2H225AH15 ,  2H225AH17 ,  2H225AH19 ,  2H225AH33 ,  2H225AH36 ,  2H225AH38 ,  2H225AH49 ,  2H225AH50 ,  2H225AJ13 ,  2H225AJ53 ,  2H225AJ54 ,  2H225AJ55 ,  2H225AJ59 ,  2H225AN38P ,  2H225AN39P ,  2H225BA01P ,  2H225BA26P ,  2H225CA12 ,  2H225CB10 ,  2H225CC01 ,  2H225CC15 ,  2H225CD05 ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100BA03S ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA15Q ,  4J100BA40Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC09S ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC84P ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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