特許
J-GLOBAL ID：201803017643406590

自立基板、及び、自立基板の製造方法

発明者：
後藤 裕輝

後藤 裕輝 について

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砂川 晴夫

砂川 晴夫 について

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中川 拓哉

中川 拓哉 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-199366
公開番号（公開出願番号）：特開2018-058742
出願日： 2016年10月07日
公開日（公表日）： 2018年04月12日
要約：
【課題】HVPE法でC面以外の成長面にIII族窒化物半導体をエピタキシャル成長させた場合に、成長したIII族窒化物半導体の結晶中にドープされる酸素(不純物)の濃度を低減する。【解決手段】III族窒化物半導体で構成され、C面と異なる面で構成された成長面を有し、第1の不純物であるOと、第2の不純物であるSi又はGeとを含み、SIMS(Secondary Ion Spectrometry)で測定した第1の不純物の濃度をD1、第2の不純物の濃度をD2とすると、1.5≦D1/D2≦4を満たす自立基板。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体で構成され、 C面と異なる面で構成された成長面を有し、 第1の不純物であるOと、第2の不純物であるSi又はGeとを含み、 SIMS(Secondary Ion Spectrometry)で測定した前記第1の不純物の濃度をD1、前記第2の不純物の濃度をD2とすると、1.5≦D1/D2≦4を満たす自立基板。
IPC (4件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205
Fターム (34件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077EH05 ,  4G077TA04 ,  4G077TB04 ,  4G077TJ06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F045AA01 ,  5F045AA03 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045DP09 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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