特許
J-GLOBAL ID：201803017965677076

半導体装置

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-125831
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190989
出願日： 2018年07月02日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
要約：
【課題】開口率を低減させず、電荷容量を大きくした容量素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】透光性を有する半導体膜111を含むトランジスタ103と、一対の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子105において、一対の電極と誘電体膜を、透光性を有する材料で形成する。一対の電極のうち、一方の電極は、トランジスタの半導体膜119と同一表面上に形成された半導体膜を用いる。容量素子を形成する誘電体膜としてゲート絶縁膜127を用いる。一対の電極のうち、他方の電極122は、透光性を有する半導体膜か、透光性を有する導電膜を用いて形成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
チャネル形成領域に透光性を有する半導体膜を含むトランジスタと、第1の電極と、第2の電極の間に誘電体膜が設けられた容量素子と、を有し、 前記容量素子において、前記第1の電極と、前記第2の電極と、前記誘電体膜は透光性を有する材料で形成され、 前記トランジスタの前記透光性を有する半導体膜と同一表面上に形成される半導体膜が前記第1の電極として機能し、 前記第2の電極は、前記トランジスタのゲート絶縁膜より下方に形成され、 前記ゲート絶縁膜の前記第1の電極と前記第2の電極が重畳する領域を前記誘電体膜として用いる、ことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088
FI (7件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 612Z ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E
Fターム (88件)：
5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN44 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-161385   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-048615   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • ディスプレイ装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-103062   出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社
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