特許
J-GLOBAL ID：201803017990154762
III族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにIII族窒化物半導体デバイスの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-029115
公開番号（公開出願番号）：特開2014-157978
特許番号：特許第6322890号
出願日： 2013年02月18日
公開日（公表日）： 2014年08月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 III族窒化物膜と、前記III族窒化物膜と化学組成の異なる材料で形成されている支持基板と、を含み、
前記III族窒化物膜は、前記支持基板に直接的および間接的のいずれかの形態で接合され、
前記III族窒化物膜の厚さが10μm以上であり、
前記III族窒化物膜側の主面におけるシート抵抗が200Ω/sq以下であり、
前記III族窒化物膜と前記支持基板との接合界面に金属を含む不純物を含み、前記不純物の濃度が1×1010cm-2以上であるIII族窒化物複合基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01L 21/02 B
, H01L 21/20
, H01L 33/32
