特許
J-GLOBAL ID:201803018257393447
フォトマスクの製造方法、描画装置、表示装置の製造方法、フォトマスク基板の検査方法、及びフォトマスク基板の検査装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
阿仁屋 節雄
, 福岡 昌浩
, 奥山 知洋
, 橘高 英郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-146741
公開番号(公開出願番号):特開2018-017833
出願日: 2016年07月26日
公開日(公表日): 2018年02月01日
要約:
【課題】フォトマスクの製造における座標精度の向上を、より効率的に行えるようにする。【解決手段】透明基板の第1主面に、設計描画データW1に基づく転写用パターンをもつフォトマスクの製造方法であって、第1主面に薄膜とレジスト膜とを積層したフォトマスク基板を、描画装置のステージに載置する工程と、フォトマスク基板に対して、描画を行う描画工程と、レジスト膜を現像して形成したレジストパターンを用いて、薄膜をパターニングする工程と、を含み、描画工程では、描画装置がフォトマスク基板の形状に及ぼす変形量を表わす描画装置固有データM1と、フォトマスク基板の第2主面形状を表わす裏面データS2を用意し、描画装置固有データM1及び裏面データS2に起因する座標ずれ合成量D1を、設計描画データW1に反映させて、フォトマスク基板に転写用パターンを描画する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
透明基板の第1主面に、設計描画データW1に基づく転写用パターンをもつフォトマスクの製造方法であって、
前記第1主面に、薄膜と、レジスト膜を積層したフォトマスク基板を、描画装置のステージに載置する工程と、
前記フォトマスク基板に対して、描画を行う描画工程と、
前記レジスト膜を現像して形成したレジストパターンを用いて、前記薄膜をパターニングする工程と、を含み、
前記描画工程では、
前記描画装置が前記フォトマスク基板の形状に及ぼす変形量を表わす描画装置固有データM1と、
前記フォトマスク基板の第2主面形状を表わす裏面データS2を用意し、
前記描画装置固有データM1及び前記裏面データS2に起因する座標ずれ合成量D1を、前記設計描画データW1に反映させて、前記フォトマスク基板に転写用パターンを描画することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
IPC (5件):
G03F 1/20
, G03F 7/20
, G03F 1/76
, G03F 1/80
, G03F 1/84
FI (5件):
G03F1/20
, G03F7/20 521
, G03F1/76
, G03F1/80
, G03F1/84
Fターム (30件):
2H195BA01
, 2H195BA03
, 2H195BB01
, 2H195BB08
, 2H195BB14
, 2H195BB15
, 2H195BB16
, 2H195BB29
, 2H195BC01
, 2H195BC04
, 2H195BC05
, 2H195BC27
, 2H195BD03
, 2H195BD28
, 2H195BD29
, 2H195BD40
, 2H197AA22
, 2H197AA26
, 2H197CA07
, 2H197DA03
, 2H197DB34
, 2H197DC05
, 2H197DC13
, 2H197HA03
, 2H197HA04
, 2H197HA05
, 2H197HA10
, 2H197JA05
, 2H197JA15
, 2H197JA18
引用特許:
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