特許
J-GLOBAL ID：201803018303647629
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
新居 広守
, 寺谷 英作
, 道坂 伸一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-530023
特許番号：特許第6233717号
出願日： 2013年11月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に複数の画素が行列状に配置された画素領域と、前記半導体基板を平面視した場合における当該画素領域の周辺であって前記複数の画素を駆動するための多層配線が配置された周辺領域とを含み、
前記画素領域には、
前記半導体基板に形成された電荷蓄積拡散層と、
前記電荷蓄積拡散層の上方であって、前記電荷蓄積拡散層と電気的に接続された、画素ごとに対応して形成された複数の画素プラグと、
前記複数の画素プラグの上であって前記複数の画素プラグのそれぞれと電気的に接続され、画素ごとに対応して形成された複数の下部画素電極と、
前記複数の下部画素電極の上であって前記複数の下部画素電極と電気的に接続された光電変換膜と、
前記光電変換膜の上であって前記光電変換膜と電気的に接続された上部画素電極とが配置され、
前記周辺領域に配置された前記多層配線のうち最上層に形成された配線の上面は、前記光電変換膜の底面よりも上方に位置し、
さらに、前記上部画素電極の上であって前記上部画素電極及び前記光電変換膜を保護する保護膜が形成され、
前記上部画素電極の端部における断面と、前記保護膜の端部における断面とが同一面上にあり、前記上部画素電極の端部における断面及び前記保護膜の端部における断面と、前記半導体基板の表面とのなす角度は、45度以上である
固体撮像装置。
IPC (5件)：
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H04N 5/369 ( 201 1.01)
, H01L 21/3205 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
H01L 27/146 E
, H04N 5/369 600
, H01L 21/88 S
