特許
J-GLOBAL ID:201103005102335525
固体撮像装置,固体撮像装置の製造方法,デジタルスチルカメラ,デジタルビデオカメラ,携帯電話,内視鏡
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-150591
公開番号(公開出願番号):特開2011-071481
出願日: 2010年06月30日
公開日(公表日): 2011年04月07日
要約:
【課題】SN比を向上させることができる固体撮像装置内視鏡を提供する。【解決手段】固体撮像装置100は、複数の画素部を有し、画素部が、画素電極104と、画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層107と、有機層の上方に複数の画素部で共有に設けられた対向電極108と、対向電極を覆う封止層110と、封止層の上方に設けられたカラーフィルタCFと、画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路116と、カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された画素部に対応する光電変換層へ導く集光手段112と、を備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数の画素部を有する固体撮像装置であって、
前記画素部が、画素電極と、
前記画素電極の上方に設けられ、受光した光に応じて電荷を生成する光電変換層を含む有機層と、
前記有機層の上方に前記複数の画素部で共有に設けられた対向電極と、
前記対向電極を覆う封止層と、
前記封止層の上方に設けられたカラーフィルタと、
前記画素電極に捕集された電荷に応じた信号を読出す読出し回路と、
前記カラーフィルタを透過する光を、該カラーフィルタが配置された前記画素部に対応する前記光電変換層へ導く集光手段と、を備え、
前記光電変換層がp型有機半導体とn型有機半導体を含み、
前記有機層が、前記光電変換層と前記画素電極及び/又は前記対向電極との間に、前記画素電極及び/又は前記対向電極から前記光電変換層への電荷の注入を抑制する電荷ブロッキング層を含み、
前記電荷ブロッキング層のイオン化ポテンシャルと、前記光電変換層に含まれるn型有機半導体の電子親和力との差が1eV以上であって、
前記封止層が、原子層堆積法で形成された第1封止層と、前記第1封止層上に、物理的気相成膜法で形成され、金属酸化物、金属窒化物、金属窒化酸化物のいずれか1つを含む第2封止層とを有する固体撮像装置。
IPC (4件):
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H01L 31/10
, H04N 5/369
FI (4件):
H01L27/14 E
, H01L27/14 D
, H01L31/10 A
, H04N5/335 690
Fターム (53件):
4M118AA02
, 4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA14
, 4M118CB05
, 4M118CB14
, 4M118CB20
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA33
, 4M118GA09
, 4M118GB03
, 4M118GB06
, 4M118GB19
, 4M118GC07
, 4M118GC08
, 4M118GC14
, 4M118GC17
, 5C024BX01
, 5C024BX02
, 5C024CX32
, 5C024EX43
, 5C024EX52
, 5C024GX07
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5F049MA02
, 5F049MB08
, 5F049NA04
, 5F049NA05
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049PA06
, 5F049PA07
, 5F049PA14
, 5F049RA02
, 5F049SE02
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SE05
, 5F049SE06
, 5F049SS01
, 5F049SS03
, 5F049TA12
, 5F049TA13
, 5F049UA12
, 5F049UA13
, 5F049UA14
, 5F049UA20
引用特許:
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