特許

J-GLOBAL ID：201803018330945356

基板処理方法

発明者： 樋口 鮎美 ,  岩崎 晃久
出願人/特許権者： 株式会社SCREENホールディングス
代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-187250
公開番号（公開出願番号）：特開2018-056202
出願日： 2016年09月26日
公開日（公表日）： 2018年04月05日
要約：

【課題】低誘電率被膜に対する液状の有機シランの過剰な浸透を抑制することができる基板処理方法を提供する。【解決手段】低誘電率被膜50が表面に形成された基板Wが処理される。低誘電率被膜50の表層部51を緻密化することによって緻密化層56に転換する緻密化工程が実行される。そして、緻密化層形成工程の後に低誘電率被膜50の表面に、緻密化層56を修復する修復液を供給する修復液供給工程が実行される。【選択図】図5C

請求項（抜粋）：

低誘電率被膜が表面に形成された基板を処理する基板処理方法であって、 前記低誘電率被膜の表層部に形成されたダメージ層を緻密化することによって緻密化層に転換する緻密化工程と、 前記緻密化工程の後に、前記低誘電率被膜の表面に、前記緻密化層のダメージを修復する修復液を供給する修復液供給工程とを含む、基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (2件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 643A

Fターム (8件)：

5F157AA32 ,  5F157AA42 ,  5F157AB02 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157BB11 ,  5F157BE46 ,  5F157DB14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法および基板処理システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-346854   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-292341   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-158065   出願人：株式会社東芝
• 基板処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-230831   出願人：東京エレクトロン株式会社