特許

J-GLOBAL ID：200903026284712417

半導体装置の製造方法および基板処理システム

発明者： 浅子 竜一 ,  前川 薫 ,  藤井 康
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-346854
公開番号（公開出願番号）：特開2007-157768
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】電気的特性および信頼性に優れた半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体基板に形成された被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有するエッチングマスクを形成する工程(ステップ2)と、エッチングマスクを介して被エッチング膜をエッチングし、被エッチング膜に溝または孔を形成する工程(ステップ3)と、オゾンを含むガスによる処理を少なくとも含んでエッチングマスクを除去する工程と(ステップ4,5)、除去工程までの工程により被エッチング膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる工程(ステップ6)とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された被エッチング膜の表面に所定の回路パターンを有するエッチングマスクを形成する工程と、 前記エッチングマスクを介して前記被エッチング膜をエッチングし、前記被エッチング膜に溝または孔を形成する工程と、 オゾンを含むガスによる処理を少なくとも含んで前記エッチングマスクを除去する工程と、 前記除去工程までの工程により前記被エッチング膜に入ったダメージを所定の回復ガスを供給することにより回復させる工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/30 572A ,  H01L21/90 A ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 645Z

Fターム (34件)：

5F004AA07 ,  5F004BD01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033XX24 ,  5F046MA05 ,  5F046MA10 ,  5F046MA12 ,  5F046MA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-274426   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (6件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-224751   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-356377   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-225786   出願人：松下電器産業株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-271167   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-158065   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-347550   出願人：日本電気株式会社