基板処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230831
公開番号（公開出願番号）：特開2007-123836
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：

【課題】被エッチン膜をエッチング後、犠牲膜等の残存物質を除去する処理を、その残存物質を所定の液に可溶化し、次いで、その所定の液により残存物質を除去することで行う際に、パターンはがれ等のダメージが少ない基板処理方法を提供すること。【解決手段】基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、所定の液を供給して変性された物質を溶解除去する工程とを有する。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

基板上に形成された被エッチング膜をエッチング処理して所定パターンを形成する工程と、前記エッチング処理を終了した後に残存する物質を所定の液に対して可溶化するように変性させる工程と、次いで、パターンが形成された被エッチング膜の表面をシリル化処理する工程と、その後、前記所定の液を供給して前記変性された物質を溶解除去する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L21/90 A , H01L21/306 D

Fターム (25件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033KK11 , 5F033MM02 , 5F033MM13 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033QQ02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033QQ91 , 5F033QQ92 , 5F033QQ93 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F043AA29 , 5F043DD01 , 5F043GG03

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381707 出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (7件)

基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-381707 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-165681 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-080056 出願人：ソニー株式会社

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