特許

J-GLOBAL ID：201803018578090586

多孔質材料をコーティングまたは充填する方法

発明者： ファーゲ,ジェイクス ,  リウ,ジュンジュン
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド
代理人 (3件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦 ,  大貫 進介
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-501246
公開番号（公開出願番号）：特表2018-521845
出願日： 2016年07月12日
公開日（公表日）： 2018年08月09日
要約：

多孔質材料をコーティングまたは充填する方法が提供される。ある実施例では、当該方法は、多孔質材料を提供するステップと、気相暴露により、前駆体分子を前記多孔質材料のポアに提供するステップと、前記前駆体分子を反応させて、前記ポア内にポリマーを形成するステップと、を有する。

請求項（抜粋）：

多孔質材料をコーティングまたは充填する方法であって、 前記多孔質材料を提供するステップと、 気相暴露により、前記多孔質材料のポアに前駆体分子を供給するステップと、 前記前駆体分子を反応させて、前記ポア内にポリマーを形成するステップと、 を有する方法。

IPC (4件)：

B05D 7/00 ,  B05D 3/04 ,  B05D 3/10 ,  B05D 7/24

FI (4件)：

B05D7/00 B ,  B05D3/04 Z ,  B05D3/10 H ,  B05D7/24 302Z

Fターム (22件)：

4D075AE05 ,  4D075BB21Z ,  4D075BB22X ,  4D075BB23X ,  4D075BB46Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB49Z ,  4D075BB70Y ,  4D075BB93X ,  4D075BB93Y ,  4D075DA25 ,  4D075DB01 ,  4D075DB31 ,  4D075DC24 ,  4D075DC30 ,  4D075EA07 ,  4D075EB19 ,  4D075EB39 ,  4D075EB42 ,  4D075EB45 ,  4D075EB47 ,  4D075EB52

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン系薄膜の製造方法およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-211753   出願人：シャープ株式会社
• ラジカルを利用した連続CVD
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-604449   出願人：ジエヌス・インコーポレイテツド
• 絶縁膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-307382   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• CVD研究の現状と化学工学的手法の意義