特許
J-GLOBAL ID:201803018704037246
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
伊東 忠重
, 伊東 忠彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-257265
公開番号(公開出願番号):特開2015-114549
特許番号:特許第6291827号
出願日: 2013年12月12日
公開日(公表日): 2015年06月22日
請求項(抜粋):
【請求項1】 半導体素子と、
前記半導体素子が搭載される有機基板と、
前記半導体素子の前記有機基板に対向する第1面と、前記有機基板の前記半導体素子に対向する第2面とに配置される絶縁樹脂膜と、
を有し、
前記絶縁樹脂膜は、有機樹脂と、前記有機樹脂に含有される無機微粒子を含み、前記無機微粒子の含有率は膜厚方向に連続して変化し、前記第1面での前記含有率は前記半導体素子に近づくほど高く、前記第2面での前記含有率は前記有機基板に近づくほど低くなり、前記第1面と前記第2面の対向面での前記含有率は略等しくなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件):
G03F 7/16 ( 200 6.01)
, G03F 7/004 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (4件):
G03F 7/16
, G03F 7/004 501
, H05K 1/03 610 R
, H01L 23/12 501 B
引用特許:
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