特許

J-GLOBAL ID：201803019105494112

半導体装置

発明者： 松林 大介 ,  篠原 聡始 ,  関根 航
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-092839
公開番号（公開出願番号）：特開2018-139314
出願日： 2018年05月14日
公開日（公表日）： 2018年09月06日
要約：

【課題】微細化に伴い顕著となる電気特性の低下を抑制できる構成の半導体装置を提供する。【解決手段】基板上に基板側から第1の酸化物半導体層、第2の酸化物半導体層、第3の酸化物半導体層の順で積層した酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層およびドレイン電極層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層は第1の領域を有し、ゲート絶縁膜は第2の領域を有し、第1の領域の膜厚をTS1、第2の領域の膜厚をTGIとするとき、TS1≧TGIとする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板と、 前記基板上に前記基板側から第1の酸化物半導体層、第2の酸化物半導体層、第3の酸化物半導体層の順で積層した酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層と接するソース電極層およびドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を有し、 前記第1の酸化物半導体層は第1の領域を有し、前記ゲート絶縁膜は第2の領域を有し、前記第1の領域の膜厚をTS1、前記第2の領域の膜厚をTGIとするとき、TS1≧TGIであることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (11件)：

H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617S ,  H01L27/088 E ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/088 331E ,  H01L27/108 321 ,  H01L27/108 671Z ,  H01L27/1156 ,  H01L29/78 371

Fターム (144件)：

5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BB02 ,  5F048BB03 ,  5F048BB11 ,  5F048BB14 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD02 ,  5F048BD05 ,  5F048BD06 ,  5F048BD10 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048CB01 ,  5F048CB03 ,  5F083AD02 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA10 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA19 ,  5F101BA01 ,  5F101BB12 ,  5F101BD20 ,  5F101BD30 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BF03 ,  5F101BH16 ,  5F110AA01 ,  5F110AA02 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA25 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC10 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG26 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ30 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM02 ,  5F110HM05 ,  5F110HM13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN77 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びにその薄膜トランジスタを備えた装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-280217   出願人：富士フイルム株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法、並びに、薄膜トランジスタ、イメージセンサー、X線センサー及びX線デジタル撮影装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-114674   出願人：富士フイルム株式会社
• 薄膜トランジスタ及びその製造方法、電気光学装置、並びにセンサー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-140426   出願人：富士フイルム株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-255613   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 酸化物半導体膜および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-260854   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-280700   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所