特許
J-GLOBAL ID：201103016816427417

半導体装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
廣橋 拓也

廣橋 拓也 について

, 
高橋 正弘

高橋 正弘 について

, 
島津 貴志

島津 貴志 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-280700
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155249
出願日： 2010年12月16日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：
【課題】基板の大面積化を可能とするとともに、結晶性の優れた酸化物半導体層を形成し、所望の高い電界効果移動度を有するトランジスタを製造可能とし、大型の表示装置や高性能の半導体装置等の実用化を図る。【解決手段】基板上に第1の多元系酸化物半導体層を形成し、第1の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成し、500°C以上1000°C以下、好ましくは550°C以上750°C以下の加熱処理を行って表面から内部に向かって結晶成長させ、第1の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層、及び単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層を形成し、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第2の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を積層する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上に第1の多元系酸化物半導体層を形成し、前記第1の多元系酸化物半導体層上に一元系酸化物半導体層を形成した後、第1の加熱処理を行って、前記一元系酸化物半導体層の表面から内部に向かって結晶成長させて、単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層及び第1の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成し、 前記単結晶領域を有する一元系酸化物半導体層上に第2の多元系酸化物半導体層を形成した後、第2の加熱処理を行って、前記第2の多元系酸化物半導体層を結晶成長させて、第2の単結晶領域を有する多元系酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20
FI (7件)：
H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20
Fターム (119件)：
5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB57 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103LL08 ,  5F103LL13 ,  5F103PP03 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110BB08 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD06 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG33 ,  5F110GG35 ,  5F110GG36 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM13 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN43 ,  5F110NN46 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN74 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP36 ,  5F152AA01 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC05 ,  5F152CC06 ,  5F152CC08 ,  5F152CD12 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CE01 ,  5F152CE16 ,  5F152CE26 ,  5F152EE14 ,  5F152EE16 ,  5F152FF11 ,  5F152FF14 ,  5F152FF15 ,  5F152FF16 ,  5F152FF17 ,  5F152FF22 ,  5F152FF30
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM