特許

J-GLOBAL ID：201803019154138852

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 奥谷 学
出願人/特許権者： 株式会社SCREENホールディングス
代理人 (1件)： 特許業務法人あい特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-068581
公開番号（公開出願番号）：特開2018-110272
出願日： 2018年03月30日
公開日（公表日）： 2018年07月12日
要約：

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止しつつ、基板の上面を良好に乾燥させることができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、ウエハを水平に保持して回転させる基板保持回転機構と、基板保持回転機構に保持されているウエハを下方から加熱するためのヒータとを備えている。リンス工程(S3)の後、ウエハの上面にIPA液を供給することにより、リンス液をIPA液で置換するIPA液供給工程(S4)が実行される。その後、ウエハの上面が有機溶媒の沸点よりも高い所定の高温に保持される(S5)。これにより、ウエハの上面全面においてIPAの気相膜が形成されると共に、IPAの気相膜の上方に有機溶媒の液膜が形成される。その後、IPAの液膜が、ウエハの上面から排除されるIPA排除工程(S6)が実行される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

水平姿勢に保持されている基板の上面に付着しているリンス液よりも表面張力の低い液体の有機溶媒を前記基板の上面に供給することにより、前記リンス液を前記有機溶媒で置換する有機溶媒供給工程と、 前記基板の上面を有機溶媒の沸点よりも高い所定の高温に保持することにより、前記基板の上面全面において有機溶媒の気相膜を形成すると共に当該気相膜の上方に有機溶媒の液膜を形成する高温保持工程と、 前記基板の上面から、前記有機溶媒の液膜を排除する有機溶媒排除工程とを含む、基板処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L21/304 651B ,  H01L21/304 651M ,  H01L21/304 651L ,  H01L21/304 648G ,  H01L21/306 R

Fターム (42件)：

5F043AA31 ,  5F043BB22 ,  5F043DD13 ,  5F043EE03 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE12 ,  5F043EE35 ,  5F043GG10 ,  5F157AA09 ,  5F157AA28 ,  5F157AA29 ,  5F157AA30 ,  5F157AA36 ,  5F157AA71 ,  5F157AB02 ,  5F157AB14 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC03 ,  5F157AC04 ,  5F157AC26 ,  5F157BB23 ,  5F157BB24 ,  5F157BB66 ,  5F157BH18 ,  5F157CB13 ,  5F157CB14 ,  5F157CB15 ,  5F157CB22 ,  5F157CE03 ,  5F157CE05 ,  5F157CE07 ,  5F157CE08 ,  5F157CE10 ,  5F157CE23 ,  5F157CE25 ,  5F157CF22 ,  5F157CF34 ,  5F157CF92 ,  5F157DA21 ,  5F157DB33

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体基板を洗浄する装置及び半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-111103   出願人：三星電子株式会社
• 基板乾燥方法および基板乾燥装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-314567   出願人：大日本スクリーン製造株式会社
• 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-290973   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-173600   出願人：東京エレクトロン株式会社