特許
J-GLOBAL ID:201803019262150923

気相中におけるジイソシアネートの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  佐藤 泰和 ,  朝倉 悟 ,  反町 洋 ,  浅野 真理
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-564490
公開番号(公開出願番号):特表2018-516972
出願日: 2016年06月07日
公開日(公表日): 2018年06月28日
要約:
本発明は対応する第1級ジアミンを気相中でホスゲンと反応させることによるジイソシアネートの製造方法であって、ジアミンを気相に移す時のジアミン蒸発チャンバー内の圧力がジイソシアネートへの反応時の反応チャンバー以内の圧力よりも低く、かつ、ジアミンとホスゲンとの混合前にジアミン蒸発チャンバーと反応チャンバーとの圧力差が昇圧要素により克服される、製造方法。
請求項(抜粋):
対応する第1級ジアミンを気相中でホスゲンと反応させることによるジイソシアネートの製造方法であって、 (i)第1級ジアミンを、ホスゲンとは別に圧力p1で気相に移して、ジアミンを含む気体状出発原料流Aを得、 (ii)(i)で得られた出発原料流Aを、必要に応じて過熱後に、出発原料流Aの圧力がp2>p1の値まで上昇する昇圧要素を通じて誘導し、 (iii)ホスゲン含有気体状出発物質Pと、混合装置中の工程(ii)からの流Aとを混合し、かつ、 (iv)前記出発原料流AおよびPのうち(iii)で得られた混合流を反応空間でジイソシアネートに転化する、 前記製造方法。
IPC (3件):
C07C 263/10 ,  C07C 265/14 ,  C07C 263/20
FI (3件):
C07C263/10 ,  C07C265/14 ,  C07C263/20
Fターム (8件):
4H006AA02 ,  4H006AC55 ,  4H006AD11 ,  4H006BC11 ,  4H006BC13 ,  4H006BD10 ,  4H006BD80 ,  4H006BE52
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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