特許
J-GLOBAL ID：201803019822130206
パターン基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
松永 宣行
, 辻 徹二
, 三好 秀和
, 伊藤 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-214940
公開番号（公開出願番号）：特開2014-082495
特許番号：特許第6242147号
出願日： 2013年10月15日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光電池の基板を電解質処理する第1ステップ;
前記基板の表面にナノパーティクルを吸着させる第2ステップ;
前記ナノパーティクルをエッチングマスクとして前記基板の表面をエッチングする第3ステップ;および
前記基板の表面に残されている前記ナノパーティクルを除去する第4ステップ;
を含むことを特徴とするパターン基板の製造方法であって、
前記基板がITOを含み、
前記ITOのエッチング深さが10〜30nmの範囲である、パターン基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 51/44 ( 200 6.01)
, C03C 21/00 ( 200 6.01)
, H01L 51/50 ( 200 6.01)
, H05B 33/02 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 31/04 130
, H01L 31/04 132
, C03C 21/00 Z
, H05B 33/14 A
, H05B 33/02
, H01L 21/302 105 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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