特許
J-GLOBAL ID：201803020215307200
スイッチング装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-180714
公開番号（公開出願番号）：特開2018-046197
出願日： 2016年09月15日
公開日（公表日）： 2018年03月22日
要約：
【課題】 スイッチング装置が内蔵するpnダイオードの順方向電圧降下を小さくする。【解決手段】 スイッチング装置であって、第1及び第2トレンチと、各トレンチ内に配置されたゲート電極を有する。半導体基板が、第1導電型の第1半導体領域と、第1半導体領域に対して下側から接する第2導電型のボディ領域と、ボディ領域に対して下側から接する第1導電型の第2半導体領域を有する。これらの領域は、ゲート絶縁層を介して各ゲート電極に対向する。半導体基板は、トレンチの底面に臨む範囲に配置されている第2導電型の底部半導体領域と、ボディ領域の下端の深さからトレンチの底面の深さまでの深さ範囲において第1トレンチから第2トレンチに達するように伸びており、ボディ領域と各底部半導体領域に接続されている第2導電型の接続半導体領域を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
スイッチング装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた第1トレンチと、
前記半導体基板の前記上面に設けられ、前記第1トレンチから間隔を開けて配置されている第2トレンチと、
前記第1トレンチ及び前記第2トレンチの内面を覆うゲート絶縁層と、
前記第1トレンチ及び前記第2トレンチの内部に配置されており、前記ゲート絶縁層によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極、
を有し、
前記半導体基板が、
前記第1トレンチと前記第2トレンチの間に配置されており、前記ゲート絶縁層を介して前記第1トレンチ内及び前記第2トレンチ内の前記ゲート電極に対向する第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域に対して下側から接しており、前記ゲート絶縁層を介して前記第1トレンチ内及び前記第2トレンチ内の前記ゲート電極に対向する第2導電型のボディ領域と、
前記ボディ領域に対して下側から接しており、前記ボディ領域によって前記第1半導体領域から分離されており、前記ゲート絶縁層を介して前記第1トレンチ及び前記第2トレンチ内の前記ゲート電極と対向する第1導電型の第2半導体領域と、
前記第1トレンチの底面に臨む範囲に配置されており、前記第2半導体領域に接している第2導電型の第1底部半導体領域と、
前記第2トレンチの底面に臨む範囲に配置されており、前記第2半導体領域に接している第2導電型の第2底部半導体領域と、
前記ボディ領域の下側の範囲の一部に設けられており、前記ボディ領域の下端の深さから前記第1トレンチ及び前記第2トレンチの底面の深さまでの深さ範囲において前記第1トレンチから前記第2トレンチに達するように伸びており、前記第2半導体領域に接しており、前記ボディ領域、前記第1底部半導体領域及び前記第2底部半導体領域に接続されている第2導電型の接続半導体領域、
を有するスイッチング装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 29/12
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 652J
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 657D
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652C
, H01L29/06 301D
, H01L29/06 301V
, H01L29/91 D
, H01L29/91 L
, H01L29/91 F
, H01L29/78 652T
